Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) បានបដិវត្តន៍ឧស្សាហកម្មអេឡិចត្រូនិច ក្លាយជាធាតុផ្សំនៅគ្រប់ទិសទីក្នុងជួរដ៏ធំទូលាយនៃសៀគ្វី។ ខណៈពេលដែលមុខងារចម្បងរបស់ពួកគេគឺដើម្បីគ្រប់គ្រង និងពង្រីកសញ្ញាអគ្គិសនី MOSFETs ក៏មានផ្ទុកនូវធាតុសំខាន់មួយដែលត្រូវបានគេមើលរំលងជាញឹកញាប់ផងដែរ៖ ឌីយ៉ូតរាងកាយខាងក្នុង។ ការបង្ហោះប្លក់នេះនិយាយអំពីភាពស្មុគ្រស្មាញនៃ MOSFET body diodes ដោយស្វែងរកយុទ្ធសាស្រ្តដើម្បីកាត់បន្ថយការខាតបង់របស់ពួកគេ និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពសៀគ្វីទាំងមូល។
ការយល់ដឹងអំពីការបាត់បង់ MOSFET Body Diode
ឌីយ៉ូតរាងកាយ ដែលជាប្រសព្វប៉ារ៉ាស៊ីតដែលមាននៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធ MOSFET បង្ហាញលំហូរចរន្តឯកទិស ដែលអនុញ្ញាតឱ្យចរន្តឆ្លងកាត់ពីបំពង់បង្ហូរទៅប្រភព ប៉ុន្តែមិនមែនផ្ទុយមកវិញទេ។ ខណៈពេលដែលវាបម្រើគោលបំណងដ៏មានតម្លៃ ឌីអេដតួអាចណែនាំការបាត់បង់ថាមពលដែលកាត់បន្ថយប្រសិទ្ធភាពសៀគ្វី។
ការបាត់បង់ចរន្ត៖ ក្នុងអំឡុងពេលដំណើរការរបស់ MOSFET រាងកាយ diode ធ្វើចរន្តក្នុងទិសដៅបញ្ច្រាស បង្កើតកំដៅ និងថាមពលរលាយ។
ការផ្លាស់ប្តូរការបាត់បង់: ក្នុងអំឡុងពេលការផ្លាស់ប្តូរការផ្លាស់ប្តូរ MOSFET, រាងកាយ diode ដឹកនាំចរន្តក្នុងអំឡុងពេលនៃការងើបឡើងវិញបញ្ច្រាសដែលនាំឱ្យមានការខាតបង់ការផ្លាស់ប្តូរ។
យុទ្ធសាស្ត្រកាត់បន្ថយការបាត់បង់ MOSFET Body Diode
ការជ្រើសរើស MOSFETs ត្រឹមត្រូវ៖ ជ្រើសរើស MOSFETs ដែលមានតង់ស្យុងបញ្ជូនបន្តនៃតួខ្លួនទាប និងពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ ដើម្បីកាត់បន្ថយការខាតបង់ចរន្ត និងការផ្លាស់ប្តូររៀងៗខ្លួន។
បង្កើនប្រសិទ្ធភាពសញ្ញាថាស៖ ប្រើសញ្ញាដ្រាយវ៍ច្រកទ្វារឱ្យបានត្រឹមត្រូវដើម្បីកាត់បន្ថយពេលវេលាដែលឌីអេដរាងកាយដំណើរការកំឡុងពេលប្តូរ កាត់បន្ថយការបាត់បង់ការប្តូរ។
ការប្រើប្រាស់សៀគ្វី Snubber: អនុវត្តសៀគ្វី snubber ដែលរួមមាន resistors និង capacitors ដើម្បីរំសាយថាមពលដែលផ្ទុកនៅក្នុង parasitic inductance និងកាត់បន្ថយការឡើងវ៉ុល កាត់បន្ថយការបាត់បង់ការផ្លាស់ប្តូរ។
Parallel Body Diodes៖ ពិចារណាលើការភ្ជាប់ diodes ខាងក្រៅជាមួយ diode រាងកាយ ដើម្បីចែករំលែកចរន្ត និងកាត់បន្ថយការសាយភាយថាមពល ជាពិសេសនៅក្នុងកម្មវិធីដែលមានចរន្តខ្ពស់។
ការរចនាសៀគ្វីជម្មើសជំនួស៖ ក្នុងករណីខ្លះ សៀគ្វីជំនួសដែលលុបបំបាត់តម្រូវការសម្រាប់ផ្លូវដឹកនាំរបស់ឌីយ៉ូតរាងកាយអាចត្រូវបានចាត់ទុកថាកាត់បន្ថយការខាតបង់បន្ថែមទៀត។
អត្ថប្រយោជន៍នៃការកាត់បន្ថយការបាត់បង់ MOSFET Body Diode
ធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាព៖ ការកាត់បន្ថយការខាតបង់នៃឌីអេដក្នុងរាងកាយនាំឱ្យប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពសៀគ្វីទាំងមូល ដែលបកប្រែទៅជាការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប និងការសន្សំថាមពល។
កាត់បន្ថយការបង្កើតកំដៅ៖ ការខាតបង់តិចតួចកាត់បន្ថយការបង្កើតកំដៅនៅក្នុង MOSFET និងសមាសធាតុជុំវិញ ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវដំណើរការកំដៅ និងពង្រីកអាយុកាលរបស់សមាសធាតុ។
ភាពជឿជាក់បានប្រសើរឡើង៖ ការថយចុះសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ និងកាត់បន្ថយភាពតានតឹងលើសមាសធាតុរួមចំណែកដល់ការពង្រឹងភាពជឿជាក់នៃសៀគ្វី និងភាពជាប់បានយូរ។
សេចក្តីសន្និដ្ឋាន
MOSFET body diodes ខណៈពេលដែលជារឿយៗត្រូវបានគេមើលរំលងអាចប៉ះពាល់ដល់ប្រសិទ្ធភាពនិងដំណើរការសៀគ្វីយ៉ាងខ្លាំង។ ការយល់ដឹងអំពីប្រភពនៃការបាត់បង់រាងកាយ និងការអនុវត្តយុទ្ធសាស្រ្តកាត់បន្ថយប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាពគឺមានសារៈសំខាន់ណាស់សម្រាប់ការរចនាប្រព័ន្ធអេឡិចត្រូនិចដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ និងគួរឱ្យទុកចិត្ត។ តាមរយៈការប្រើប្រាស់បច្ចេកទេសទាំងនេះ វិស្វករអាចបង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការសៀគ្វី កាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពល និងពន្យារអាយុជីវិតនៃការរចនាអេឡិចត្រូនិចរបស់ពួកគេ។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ មិថុនា-០៧-២០២៤